北京大学申请一种图形化氮化铝复合衬底及其制备方法专利，能够大幅降低外延结构位错密度和失配应力且提高氮化物半导体LED器件性能

金融界2024年6月26日消息，天眼查知识产权信息显示，北京大学申请一项名为“一种图形化氮化铝复合衬底及其制备方法”，公开号CN202410660149.6，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本发明公开了一种图形化氮化铝复合衬底及其制备方法。本发明通过在耐高温衬底上制备出具有半悬空AlN结构的单晶氮化铝，通过光学介质材料覆盖单晶氮化铝的非悬空状态的AlN且暴露悬空状态的AlN，以周期性分布的具有低位错密度和低失配应力的悬空状态的AlN表面作为氮化物半导体的成核生长区域，将外延界面从AlN/耐高温衬底变为氮化物半导体与AlN的同质或近同质界面，得到能够大幅降低外延结构位错密度和失配应力且提高氮化物半导体LED器件性能的图形化氮化铝复合衬底，与现有材料和器件体系兼容，制备成本低，适用于大规模生产氮化物半导体LED器件的衬底，用于制备氮化物半导体可见光或紫外光LED。